Последние новости
19 апр 2018, 21:17
 Китай и Россия ведут переговоры об отправке китайских космонавтов в российский сегмент...
Поиск

18 апр 2018, 12:57
Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 17 апреля 2018 года...
16 апр 2018, 18:46
 Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 12 апреля 2018 года...
06 апр 2018, 13:36
Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 05 апреля 2018 года...
06 апр 2018, 13:35
Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 03 апреля 2018 года...
» » » В Японии разрабатывают альтернативу флэш-памяти

В Японии разрабатывают альтернативу флэш-памяти

16 янв 2006, 00:00
Японские ученые из Университета Каназавы добились значительных успехов в области разработки памяти RAM с изменяемым фазовым состоянием (Phase Change RAM, PRAM), которая в перспективе может стать альтернативой флэш-памяти.

В памяти PRAM для хранения информации применяется нестандартный подход - свойство халькогенидных полупроводников находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одной из этих фаз вещество носителя представляет собой непроводящий аморфный материал, а другой - кристаллический проводник. Изменение фаз осуществляется путем приложения электрического потенциала, при этом сама память является энергонезависимой.

Разработка памяти с изменяемым фазовым состоянием ведется на протяжении нескольких последних лет. Однако до недавнего времени считалось, что такая память не сможет составить серьезную конкуренцию флэш-памяти из-за ряда ограничений (недостаточное количество циклов переключения между фазами и пр.). Однако японским исследователям удалось существенно улучшить характеристики PRAM. Как сообщает The Inquirer со ссылкой на Nikkei Business Daily, образец, созданный учеными, обеспечивает в 1000-10000 раз больше циклов переключения между фазовыми состояниями по сравнению с обычными модулями PRAM и выдерживает до 400000 циклов перезаписи. Прототип изготовлен из материала на основе сурьмы, селена и теллура.

Альтернативу флэш-памяти разрабатывают и специалисты фирмы Freescale Semiconductor. Правда, Freescale Semiconductor применяет так называемые кремниевые нанокристаллы (тонкопленочные устройства хранения данных). Недавно компания продемонстрировала образец тонкопленочного ЗУ емкостью 24 Мбит. Впрочем, о сроках массового производства чипов с использованием методики кремниевых нанокристаллов ничего не сообщается. www.compulenta.ru

16 янв 2006, 00:00




В Японии разрабатывают альтернативу флэш-памяти


Информация
Комментировать статьи на сайте возможно только в течении 100 дней со дня публикации.