Последние новости
22 май 2017, 23:01
 Посол Турции в США Сердар Килич после решения Вашингтона поставлять оружие курдам...
Поиск

16 май 2017, 19:51
 Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 16 мая 2017 года...
12 май 2017, 08:54
 Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 11 мая 2017 года...
12 май 2017, 08:52
 Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 8 мая 2017 года...
03 май 2017, 09:42
 Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 2 мая 2017 года...
» » » » Американские ученые создали сверхбыструю память

Американские ученые создали сверхбыструю память

 Увеличить картинкуГруппа американских ученых, в число которых вошли специалисты из IBM, Macronix и Qimonda, объявила о создании нового типа модулей памяти. Благодаря этой разработке, получившей название PRAM (память с изменением фазы), продолжительность и скорость работы плееров, мобильных телефонов и цифровых камер существенно возрастет, сообщает AFP.

Как заявляют изобретатели, скорость работы созданных в IBM, Macronix и Qimonda модулей PRAM превосходит аналогичный показатель флэш-памяти (наиболее распространенный тип памяти, используемый при создании мобильников, плееров и т.п.) в 500 – 1000 раз. При этом по уровню энергопотребления PRAM существенно экономичнее флэш – новое изобретение потребляет в два раза меньше электроэнергии.

По сведениям издания Techworld, в продаже подобные модули памяти появятся не раньше 2008 года. Стоит отметить, что подобными разработками занимаются и другие компании, например - корейская Samsung, специалистам которой удалось создать прототип PRAM, работающий со скоростью, в 30 раз превышающей аналогичный показатель флэш-памяти.




Американские ученые создали сверхбыструю память


12 дек 2006, 09:19
Информация
Комментировать статьи на сайте возможно только в течении 100 дней со дня публикации.