Последние новости
19 июн 2021, 22:57
Представитель политического блока экс-президента Армении Сержа Саргсяна "Честь имею" Сос...
Поиск

11 фев 2021, 10:23
Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 11 февраля 2021 года...
09 фев 2021, 10:18
Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 9 февраля 2021 года...
04 фев 2021, 10:11
Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 4 февраля 2021 года...
02 фев 2021, 10:04
Выпуск информационной программы Белокалитвинская Панорама от 2 февраля 2021 года...
Главная » Новости » Мировые Новости » Наука » Американские ученые создали сверхбыструю память

Американские ученые создали сверхбыструю память

12 дек 2006, 09:19
 Увеличить картинкуГруппа американских ученых, в число которых вошли специалисты из IBM, Macronix и Qimonda, объявила о создании нового типа модулей памяти. Благодаря этой разработке, получившей название PRAM (память с изменением фазы), продолжительность и скорость работы плееров, мобильных телефонов и цифровых камер существенно возрастет, сообщает AFP.

Как заявляют изобретатели, скорость работы созданных в IBM, Macronix и Qimonda модулей PRAM превосходит аналогичный показатель флэш-памяти (наиболее распространенный тип памяти, используемый при создании мобильников, плееров и т.п.) в 500 – 1000 раз. При этом по уровню энергопотребления PRAM существенно экономичнее флэш – новое изобретение потребляет в два раза меньше электроэнергии.

По сведениям издания Techworld, в продаже подобные модули памяти появятся не раньше 2008 года. Стоит отметить, что подобными разработками занимаются и другие компании, например - корейская Samsung, специалистам которой удалось создать прототип PRAM, работающий со скоростью, в 30 раз превышающей аналогичный показатель флэш-памяти.



12 дек 2006, 09:19




Американские ученые создали сверхбыструю память


Информация
Комментировать статьи на сайте возможно только в течении 100 дней со дня публикации.