Последние новости
09 дек 2016, 23:07
 Уже вывешивают гирлянды. Готовятся к Новому году. Кто-то украшает живую елку,...
Поиск

» » » Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 27: Модули Kingston HyperX DDR2-800 (PC2-6400) высокой емкости с низкими задержками


Исследование основных характеристик модулей памяти. Часть 27: Модули Kingston HyperX DDR2-800 (PC2-6400) высокой емкости с низкими задержками

 


Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета RightMark Memory Analyzer. Сегодня мы рассмотрим новое, весьма интересное предложение от компании Kingston (с учетом наметившейся тенденции к увеличению объемов памяти, используемых операционными системами и приложениями) — двухканальный комплект модулей памяти стандарта DDR2-800 high-end серии HyperX суммарным объемом 4 ГБ, обладающих, к тому же, сравнительно низкими задержками (4-4-4-12-2T).

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: Kingston Technology
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: http://www.kingston.com/hyperx/products/khx_ddr2.asp

Внешний вид модуля

alt

Part Number модуля

alt

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует. В краткой технической документации модулей, соответствующих Part Number KHX6400D2LLK2/4G указывается, что продукт представляет собой комплект из двух модулей с низкими задержками (Low Latency, «LL») объемом 2 ГБ каждый, имеющих конфигурацию 256M x 64 и основанных на 16 микросхемах с конфигурацией 128M x8. Производитель гарантирует стабильную работу модулей в режиме DDR2-800 при таймингах 4-4-4-12 и сравнительно низком питающем напряжении 1.9 В, однако в микросхеме SPD в качестве режима по умолчанию выбран режим DDR2-667 со схемой таймингов 5-5-5-15 и напряжением питания 1.8 В.

Данные микросхемы SPD модуля

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Eh 14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Ah 10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 61h 2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти 6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 30h 3.00 нс (333.3 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 82h 7.8125 мс — 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Ch BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 08h 8
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 38h CL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) 23 3Dh 3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) 25 50h 5.00 нс (200.0 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) 27 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t RRD) 28 1Eh 7.5 нс
2.5, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) 29 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) 30 2Dh 45.0 нс
15, CL = 5
12, CL = 4
9, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 01h 1024 МБ
Период восстановления после записи (t WR) 36 3Ch 15.0 нс
5, CL = 5
4, CL = 4
3, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t WTR) 37 1Eh 7.5 нс
2.5, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t RTP) 38 1Eh 7.5 нс
2.5, CL = 5
2.0, CL = 4
1.5, CL = 3
Минимальное время цикла строки (t RC) 41, 40 3Ch, 06h 60.0 нс
20, CL = 5
16, CL = 4
12, CL = 3
Период между командами саморегенерации (t RFC) 42, 40 7Fh, 06h 127.5 нс
42.5, CL = 5
34.0, CL = 4
25.5, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (t CKmax) 43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 12h Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62 63 13h 19 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC 64-71 7Fh, 98h Kingston
Part Number модуля 73-90 2G-UDIMM
Дата изготовления модуля 93-94 07h, 02h 2007 год, 2 неделя
Серийный номер модуля 95-98 66h, 26h,
BEh, 72h
72BE2666h

Содержимое SPD выглядит достаточно стандартно. Поддерживаются все три возможных значения задержки сигнала CAS# — 5, 4 и 3. Первому (CL X = 5) соответствует режим функционирования DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) со схемой таймингов 5-5-5-15 (ровно), что совпадает со значениями, заявленными производителем в документации модулей. Второму значению задержки сигнала CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) со схемой таймингов 4-4-4-12. Наконец, последнему значению задержки сигнала CAS# (CL X-2 = 3) соответствует режим DDR2-400, также с «целой» схемой таймингов 3-3-3-9.

Из особенностей содержимого SPD можно отметить очень большое (пожалуй, впервые встретившееся нам за все время исследования модулей памяти DDR2) минимальное время цикла регенерации t RFC = 127.5 нс, по всей видимости, связанное с использованием микросхем памяти с 8 логическими банками (типичное значение для большинства микросхем DDR2 — 4 логических банка) для достижения высокой емкости модулей (2 физических банка по 1024 МБ).

Номер ревизии SPD, идентификационный код производителя, дата изготовления и серийный номер модуля указаны верно. Информация о Part Number модуля присутствует («2G-UDIMM»), но не соответствует Part Number, указанному на самих модулях (KHX6400D2LLK2/4G).

Поддержка расширений SPD стандарта EPP в рассматриваемых модулях не предусмотрена.

Конфигурация тестового стенда

Стенд №1

  • Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), 2.4 ГГц (200 x12)
  • Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
  • Материнская плата: ASUS CROSSHAIR, версия BIOS 0502 от 01/02/2007

Результаты исследования

Испытание модулей проводилось на платформе AMD (процессор Athlon 64 X2 4800+) с материнской платой ASUS CROSSHAIR (стенд №1). Тестирование модулей проводились в двух режимах: «по умолчанию» (автоматическая конфигурация подсистемы памяти согласно данным SPD) и в «оптимальном» режиме (конфигурация подсистемы памяти вручную, согласно рекомендациям производителя).

Параметр Стенд №1
Частота процессора, МГц
(частота FSB x FID)
2400
(200x12)
2400
(200x12)
Частота памяти, МГц
(DDR2 МГц)
300
(600)
400
(800)
Тайминги памяти по умолчанию, напряжение 5-5-5-15-2T,
1.8 В
4-4-4-12-2T,
1.9 В
Минимальные тайминги памяти, напряжение (не изучалось) те же,
вплоть до 2.3 В
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с),
1 ядро
3.44 4.08
Средняя ПСП на запись (ГБ/с),
1 ядро
2.26 2.92
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с),
1 ядро
6.98 8.04
Макс. ПСП на запись (ГБ/с),
1 ядро
6.91 6.92
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с),
2 ядра
5.73 7.11
Средняя ПСП на запись (ГБ/с),
2 ядра
2.83 3.86
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с),
2 ядра
6.92 9.47
Макс. ПСП на запись (ГБ/с),
2 ядра
6.55 6.80
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 33.5 26.4
Минимальная латентность случайного доступа *, нс 85.0 66.7

*размер блока 32 МБ

В первом случае, частота памяти составила 300 МГц (режим «DDR2-600») ввиду ограничений, налагаемых контроллером памяти процессора (использование целых делителей частоты, в данном случае — 2400/8 = 300 МГц). Схема таймингов, автоматически выставленная BIOS материнской платы, совпала со значениями SPD и составила 5-5-5-15-2T. Скоростные показатели подсистемы памяти в этом режиме выглядят весьма «средне», что, впрочем, является типичным для процессоров AMD «AM2» при низких частотах памяти.

В режиме DDR2-800 изучаемые модули устойчиво функционируют при рекомендованных производителем значениях таймингов 4-4-4-12(-2T) при минимальном увеличении питающего напряжения до 1.9 В. В то же время, рекомендованная схема таймингов оказалась и минимально возможной — любые попытки выставления более «экстремальных» таймингов (за исключением параметра t RAS, изменение которого, как обычно, игнорируется подсистемой памяти) приводили к моментальной неработоспособности системы, даже при поднятии напряжения питания модулей до 2.3 В. Скоростные характеристики подсистемы памяти в этом случае оказываются на весьма высоком уровне, несмотря на ее весьма большой объем.

Итоги

Исследованные модули Kingston HyperX DDR2-800 высокой емкости с низкими задержками KHX6400D2LLK2/4G показали надежность при функционировании в условиях, рекомендованных производителем (режим DDR2-800, напряжение питания 1.9 В, тайминги 4-4-4-12-2T). Это первое исследованное нами предложение среди новой категории модулей памяти суммарным объемом 4 ГБ, способное работать в столь высокоскоростном режиме при минимальном повышении питающего напряжения относительно номинала. И хотя в нашем исследовании дальнейшее уменьшение схемы таймингов не удалось (даже при значительном повышении питающего напряжения), выпуск этого продукта на сегодня можно считать серьезным достижением компании Kingston и индустрии памяти DDR2 в целом.

Средняя текущая цена (количество предложений) в московской рознице:

Модули памяти Kingston DDR2-800 4-4-4-12
2x2ГБ (KHX6400D2LLK2/4G)
 Н/Д( 1)
23 мар 2007, 12:07
Информация
Комментировать статьи на сайте возможно только в течении 100 дней со дня публикации.