Последние новости
09 дек 2016, 20:32
В Волгодонске  состоялось первенство Ростовской области по плаванию по программе...
Поиск

» » » Память следующего поколения на "скоростных" нанотрубках


Память следующего поколения на "скоростных" нанотрубках

В январе 2002 года ученые Каньшуй Чжен (Quanshui Zheng) из Университета Цинхуа (Tsinghua University) в Пекине и Кин Цзян (Qing Jiang) из Калифорнийского университета опубликовали интересную работу "Multiwalled Carbon Nanotubes as Gigahertz Oscillators". Исследователи установили, что группа концентрических нанотрубок, вложенная внутрь другого набора трубок, может скользить назад и вперед со скоростью порядка миллиард раз в секунду, т.е. с частотой, исчисляемой гигагерцами. Такие нанотрубки получили название "скоростных", или телескопических.

На этом явлении основана новая разработка группы ученых под руководством уже известного нам Кина Цзяна и Йона Вон Кана (Jeong Won Kang). Сообщается, что новый тип памяти объединяет в себе скорость RAM и при этом иметь все преимущества энергонезависимой памяти. Исследователи спроектировали накопитель на основе энергонезависимой памяти емкостью 1 терабит. Отмечается, что плотность нового типа памяти будет значительно превосходить все существующие на сегодняшний день кремниевые решения. В общих чертах понять суть новой разработки можно из нижеприведенного рисунка.

 

 
 

Как видите, в нанотрубку помещают другую нанотрубку значительно меньшего диаметра. Эта внутренняя нанотрубка получила название "телескоп". Эта система помещается между двумя нейтрально заряженными электродами. При заряжении одного электрода зарядом одного знака, а "телескопа" – противоположного знака, внутренняя нанотрубка начинает притягиваться к соответственному электроду. Происходит это явление под действием сил Ван-дер-Ваальса, которые хорошо известны из университетского курса физики. Особо отмечается устойчивость состояний в положении "возле электрода", которые сохраняются после окончания действия электрического поля.

Для создания электродов использовалась платина. Исследователи достигли впечатляющих результатов: переключение состояний осуществлялось всего за 10-11 с, а стирание данных с одной ячейки памяти происходит за 10-12 с. Ученые своими заявлениями внушают оптимизм относительно будущего нового типа памяти, но остаются нерешенными еще ряд проблем. К примеру, эксперименты успешно проходили только при очень низкой температуре в 1 градус Кельвина (-272,5 C°). Так что о сроках получения первого, работающего при комнатной температуре образца, не говоря уже о коммерциализации новой технологии, говорить пока не приходиться.

09 фев 2007, 11:50
Информация
Комментировать статьи на сайте возможно только в течении 100 дней со дня публикации.